为提升获利，DRAM三巨头“分道扬镳”

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12月5日消息，面对当前DRAM市场供不应求、价格持续上涨的局面，三星电子、SK海力士、美光这三大DRAM采取了不同的应对策略：三星电子拟减产HBM3E来扩大通用DRAM供给；而SK海力士则聚焦扩大数据中心/企业级所需的DRAM产品的供给，但也考虑扩大通用DRAM供给；美光则完全转向了满足数据中心/企业级需求，甚至不惜砍掉自己的消费类品牌。

三星电子拟削减HBM3E约40%产能，扩大通用DRAM供给

据韩国媒体DealSite近日报导，为助力公司实现明年利润最大化的目标，三星电子正考虑大幅削减基于其10nm级制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能，以便将生产重心转移到利润率高于当前HBM3E的10nm 级第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。

一位熟悉该三星内部情况的负责人表示：“我们内部正在讨论将 30-40% 的 1a DRAM 产能转换为1b DRAM。”他补充道：“如果我们将成熟工艺线（例如 1z）的转换投资也算进去，我们将确保每月额外获得 8 万片（基于晶圆）的 1b DRAM 产能。”

目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星电子的1b DRAM则主要用于生产通用DRAM产品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分会用于生产GDDR7。即将量产的HBM4 则基于1c nm及1b nm 制程技术的DRAM产能来生产。

虽然三星HBM3E良率已有显著提升，今年下半年也加入了英伟达的HBM3E供应链，但其供应量仍然有限。因为英伟达已经从SK海力士和美光获得了足够的供货量。同时，三星供给英伟达这些大客户的HBM3E价格也要比竞争对手更低，这也导致了三星当前的HBM3E产品的营业利润率预计只有30%左右。此外，英伟达、AMD都计划从明年开始将其主要产品的需求过渡到HBM4，这也将导致对于HBM3E需求减少。业内人士预计，从明年开始，12层HBM3E产品的年均售价可能还将下降30%以上，这也意味着三星HBM3E的利润率可能会进一步降低。

与此同时，由于人工智能（AI）的旺盛需求、HBM抢占标准DRAM产能、短期内DRAM扩产幅度有限等原因，导致基于1b DRAM产能的通用DRAM产品供不应求、价格持续上涨。根据预计，在经过价格上涨之后，三星基于1b DRAM产能的DDR5等通用DRAM的营业利润率将超过60%，远高于HBM3E产品。因此，对于三星来说，降低HBM3E产能，扩大标准DRAM产出将更有利可图。

一位半导体行业人士也解释说：“三星虽然通过了英伟达的HBM3E认证测试，并开始供货。但明年三星在英伟达HBM3E供应链中的份额将只有个位数”，并且“由于HBM3E与通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生产HBM3E实际上是在赔钱。 ”

虽然，减产HBM3E所释放的1b DRAM产能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是计划用1c DRAM产能来制造HBM4，以形成对SK海力士的竞争优势。相关报道显示，三星计划在其目前月产能为2万片晶圆的1c DRAM生产线上扩大投资，提升至约8万片晶圆，并将现有成熟工艺升级为1c DRAM工艺，从而在明年年底前将1c DRAM其总产能提升至15万片晶圆。不过最近有传闻称，三星对于HBM4投资开始偏于谨慎，可能也在考虑进一步削减投资。

除了英伟达和AMD之外，三星电子目前也有向博通、谷歌在内的多家大型科技公司供应HBM3E，减产HBM3E可能会影响到他们。但是三星内部人士认为：“如果美光科技由于重新设计HBM4，使得其HBM4市场竞争力下降，其明年的HBM产能仍将集中于HBM3E，因此其他ASIC客户有望从美光那里获得更多HBM3E产能。

除了通过减产HBM3E来增加通用DRAM产能之外，三星电子近期也决定将其位于平泽和华城园区的部分NAND闪存生产线改造为通用DRAM生产线，以快速提升通用DRAM产能。因为通用DRAM的价格上涨预计将比NAND Flash的价格上涨持续更长时间。

一位知情人士表示：“三星内部有强烈的趋势，力争明年取得优异的外部业绩。我们的核心目标是实现比SK海力士更高的营业利润，并在盈利能力方面明显超越他们。”该人士补充道：“因此，我们目前的目标是保持DRAM产量的高速增长（与近期半导体行业的复苏相符），并计划将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM。”

事实上，近年来三星与SK海力士两家公司之间的盈利差距日益扩大。去年，囊括半导体业务的三星DS部门的营业利润为15.1万亿韩元，而SK海力士的营业利润则高达23.467万亿韩元。预计今年三星的营业利润将达到23.6万亿韩元，但是远低于SK海力士的43万亿韩元。而在2023年半导体行业低迷时期，三星电子DS部门录得14.8795万亿韩元的营业亏损，也几乎是SK海力士亏损的7.7303万亿韩元的两倍。

SK海力士扩大1c DRAM产能，或将增加通用DRAM产出

据韩国媒体报道，为应对旺盛的DRAM需求，SK海力士计划将DRAM产能投资目标翻了一番。

业界预期SK海力士会将大部分DRAM产能的扩张投资于HBM等数据中心DRAM产品。SK海力士在第三季度财报电话会议上的官方声明进一步强化了这一预期：“尽管通用DRAM的利润率可能与HBM相近，但我们不会仅仅因为盈利能力的暂时性变化就立即调整产能结构。”

因此，SK海力士的扩产战略方向与计划扩大通用DRAM供给来提升获利的三星电子截然不同，其更倾向于提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利，毕竟SK海力士占据了一半以上的HBM市场份额，其2026年的HBM产能也已经售罄。

所以，SK海力士当前的扩产重心也是扩大HBM产能。比如，SK海力士正在建设的M15X晶圆厂主要是生产1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片，计划于2025年底实现量产，初期月产能为3.5万片晶圆，未来预计可扩大至5.5万至6万片。

另外，据业内人士透露，SK海力士计划将其1c DRAM月产能从今年的每月2万片晶圆提升至明年年底的每月16万至19万片晶圆，约占其DRAM总产能的三分之一以上。主要生产基地是利川M14、M16晶圆厂，清州M15X也将部分引进1c DRAM生产线。其中，M14将新确保每月13万片规模的1c DRAM晶圆，M15X将投资3万片晶圆，M16将投资1万片晶圆以上。虽然，这些扩产后的1c DRAM虽然不是用于HBM，但是也将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等面向数据中心应用的产品。

根据SK海力士的预期，DRAM短缺的状况将会持续到2027年底，而新建的用于传统芯片的新工厂要到2027年或2028年才能有产出。因此，SK海力士也对此表达了担忧，如果无法向这些终端客户供货通用DRAM，他们可能会面临根本无法做生意的情况。这也使得SK海力士考虑调整策略。

而且，随着近期通用DRAM价格的持续飙升，SK海力士也意识到了这一趋势将推动通用DRAM利润率可能达到与HBM相同、甚至超越。因此，有迹象表明该SK海力士也可能会调整这部分的扩产计划。

一位前SK海力士官员表示，“SK海力士的HBM营业利润率约为70%”，并且“明年通用DRAM的利润率似乎也将达到类似HBM的水平，因此公司正在积极采取措施来反映这一点”。

根据韩国媒体最新的报道显示，SK海力士新增的1c DRAM产能也将被用于通用DRAM产品DDR5、LPDDR5X，以及GDDR7的制造。

韩国半导体业界的一位相关人士解释说：“明年SK海力士M14晶圆厂将新确保每月13万片规模的1c DRAM晶圆，M15X将投资3万片晶圆，M16将投资1万片以上。”他接着解释说：“目前SK海力士也随着通用DRAM的需求急剧增加，并正在使用季度调价而不是长期供应合同（LTA）的方式来扩大销售额。”

美光：退出Crucial消费类存储业务

当地时间2025年12月3日，美国存储芯片大厂美光科技（Micron）通过官网正式宣布，将退出 Crucial 消费类存储业务，其中包括在全球主要零售商、电商和分销商处销售 Crucial 消费品牌存储产品。

美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“人工智能驱动的数据中心增长带动了内存和存储需求的激增。为了更好地为我们在增长更快的细分市场中的大型战略客户提供供应和支持，美光做出了艰难的决定，退出Crucial消费业务。”

简单来说就是，美光希望通过退出自有品牌 Crucial 消费类存储业务，以便能够快速将这部分的产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM和SSD产品上，以满足AI领域日益增长的需求。

不过，由于HBM4不符合英伟达要求，美光正在重新设计，这也使得其2026年难以在HBM4市场获得多少订单，所以其2026年新增的产能会集中于HBM3E的供应，以扩大对英伟达的供应份额。

美光CEO Sanjay Mehrotra今年9月透露，在截至8月的单季度，美光HBM收入增长至近20亿美元，整个财年的HBM收入预计达80亿美元。

虽然美光也在加大投资建设新产能，比如已经动工的中国台湾的A5工厂和美国的爱达荷州的ID1晶圆厂，但是远水解不了近渴，这部分产能要2027年才能开出，且主要也是面向数据中心需求。最新宣布的96亿美元在日本广岛建设的新厂，也是用于生产HBM，预计2028年才能有产出。

据路透社的最新报导，在经过大规模的市场调查之后发现，今年10月，谷歌、亚马逊、微软和Meta纷纷向美光提出了“无限期订单”，他们告诉美光，无论价格如何，只要能交付多少，他们就会接收多少。这或许也能解释，美光为何不惜砍掉自家的消费类品牌来增加数据中心/企业级的供给。

小结：

根据市场研究机构TrendForce预测，2026年全球DRAM供应量将同比增长20%。另据韩国金融机构iM Securities估计，2026年全球DRAM产业的总产量预计将同比增长约19%，其中三星电子预计将增长21%，SK海力士预计增长17%。

从最新的信息来看，三大DRAM原厂都在陆续上调明年DRAM产量增长目标，但是基于自身实际情况、为了提升获利，三家原厂采取不同的策略。三星直接选择了减产HBM3E、扩大通用DRAM产能供给；SK海力士则是持续扩大面向数据中心/企业级的DRAM产能供给，但是随着通用DRAM利润率持续提升，SK海力士也计划增加通用DRAM的产出；美光则是一门心思地扩大数据中心/企业级供给，甚至不惜砍掉自己的消费类品牌。但不管策略如何，他们的目标都是提升获利。

业内人士认为，虽然三大原厂都在积极扩产，但是明年DRAM市场需求的增长量可能会超过产量的扩张。TrendForce也预测，2026年的对于DRAM的需求将同比增长26%，比2025年DRAM供应的20%的增长，将有不小的缺口存在，并预计2026年整体的DRAM平均单价将同比上涨58%。

编辑：芯智讯-浪客剑