新品国产替代

冶波

汽车缺芯的主要种类包括：主控芯片MCU、功率类的电源芯片、驱动芯片，目前中国市场前三者缺芯74%，其次是信号链芯片CAN/LIN等通信芯片；缺货原因主要是后疫情时代汽车市场需求快速回温叠加以及新四化带动芯片量价齐升。整体来看，功率半导体有望优先实现国产替代，MOS、IGBT今年恐难缓解，6、8 寸尤为紧缺，MCU芯片车规级结构性缓解持续，传感器芯片未来伴搭载数量增加短缺会长期存在。SoC芯片的高性能产品集中度较高，缺货风险持续存在。存储类芯片在汽车半导体市场比重持续提升引发缺货。电源管理芯片在汽车相关应用上供给紧张。到2025年，新能源汽车单车平均芯片搭载量将达到1500-2000颗。2020年中国集成电路市场的大量需求由进口满足，车规级芯片的使用量占到了全球30%，自主水平不到10%。到2022年，90nm以上工艺制造能力缺口为20万片（合12英寸，下同），成熟工艺（28nm-90nm,含90nm不含28nm）制造能力缺口为15万片，先进

类型	子类	名称	工艺	制程	数量	比率
主控芯片	控制类	MCU	CMOS工艺 （e-flash）	65nm-28nm 或>65nm	100-120颗	6%
	计算类	SoC	CMOS工艺	16—7nm，或<7nm	5-8颗
外设芯片	模拟类	预算放大器	模拟工艺	1μm（典型）	90颗	4%
	电源类	降压、升压DC/DC转换器	BCD power	0.13μm—0.35μm	130颗	6%
	驱动类	高低边驱动	BCD power	0.13μm（典型）	70颗	4%
	存储类	DDP	3D NAND、VLSI	15—25nm（典型）	30颗	2%
		FIash	3D NAND	45—65nm（典型）
	传感器	各类传感器	MEMS工艺	0.1μm—0.35μm	110-180颗	10%
	通信类	CAN&LIN	模拟工艺	1μm	80颗	4%
		以太网	CMOS工艺	≤ 28nm
		视频编码器	模数混合 工艺	0.13μm/28—55nm
		网联通信模组	CMOS工艺	≤ 7nm
分立器件	功率类	IGBT组件结构 2颗IGBT芯片 2颗Diode芯片	功率器件	0.15μm—0.35μm	120-150组件 240-300颗IGBT芯片 240-300颗Diode芯片	24%
		SiC MOSFET	功率器件	≤ 0.18μm	40颗
	其他类	二极管、MOS管			< 800颗	40%
总结：以上为三电/三智新能源汽车，单车芯片价值在3-5万元/之间芯片数量（不含分立器件及IGBT模块）在700-900颗之间。芯片总数量（含分立器件及IGBT模块）大约为1600-2100颗之间。					1600-2100颗	100%

工艺（28nm及以下）缺口为30万片。经过五年的发展，国内汽车芯片从5%的国产化率演化到2024年的15%的国产化率。